SUD06N10-225L-GE3
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Technische Details SUD06N10-225L-GE3
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Tape & Reel (TR), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-252AA, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63.
Preis SUD06N10-225L-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
SUD06N10-225L-GE3 Hersteller: SUD06N10 Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA ![]() |
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SUD06N10-225L-GE3 Hersteller: SUD06N10 Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA ![]() |
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SUD06N10-225L-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-252AA Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ![]() |
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SUD06N10-225L-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-252AA Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ![]() |
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