SUD15N15-95-E3
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Technische Details SUD15N15-95-E3
Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252, Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Mounting Type: Surface Mount, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc).
Preis SUD15N15-95-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SUD15N15-95-E3 Hersteller: VISHAY Material: SUD15N15-95-E3 SMD N channel transistors 
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD15N15-95
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Mounting Type: Surface Mount Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
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auf Bestellung 4268 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Base Part Number: SUD15 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Vgs (Max): ±20V
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auf Bestellung 391 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Base Part Number: SUD15 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Vgs (Max): ±20V
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