SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2000+ | 3.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 19, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUD19N20-90-E3 nach Preis ab 3.33 EUR bis 7.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3073 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V N-CH (D-S) 175 DEG.C |
auf Bestellung 2576 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SUD19N20-90-E3 Produktcode: 154670 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 19 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 3 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
SUD19N20-90-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |