SUD40N10-25-E3

SUD40N10-25-E3

Hersteller: SILI
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK Trans SUD40N10-25-E3 TSUD40N10-25
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Technische Details SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Preis SUD40N10-25-E3 ab 5.84 EUR bis 8.32 EUR

SUD40N10-25-E3
SUD40N10-25-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: VISHAY
Material: SUD40N10-25-E3 SMD N channel transistors
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SUD40N10-25-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SUD40N10-25-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3
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SUD40N10-25-E3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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