SUD40N10-25-E3
SUD40N10-25-E3
Hersteller: SILITrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK Trans SUD40N10-25-E3 TSUD40N10-25
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Technische Details SUD40N10-25-E3
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis SUD40N10-25-E3 ab 5.84 EUR bis 8.32 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD40N10-25-E3 Hersteller: VISHAY Material: SUD40N10-25-E3 SMD N channel transistors
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SUD40N10-25-E3 Hersteller: VISHAY Material: SUD40N10-25-E3 SMD N channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)
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