SUD50N03-06AP-E3

SUD50N03-06AP-E3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Preis SUD50N03-06AP-E3 ab 0.8 EUR bis 4.21 EUR

SUD50N03-06AP-E3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 90A 83W
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SUD50N03-06AP-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
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SUD50N03-06AP-E3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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