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Technische Details SUM10250E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0247, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUM10250E-GE3 nach Preis ab 3.03 EUR bis 6.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0247 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 375 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36.6A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57.6nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36.6A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57.6nC Kind of channel: enhanced |
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