SUM45N25-58-E3
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Technische Details SUM45N25-58-E3
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Preis SUM45N25-58-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SUM45N25-58-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 
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SUM45N25-58-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V
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auf Bestellung 3030 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUM45N25-58-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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auf Bestellung 20788 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
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