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Technische Details SUM45N25-58-E3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUM45N25-58-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SUM45N25-58-E3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SUM45N25-58-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SUM45N25-58-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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| SUM45N25-58-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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| SUM45N25-58-E3 | Hersteller : VISHAY |
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors |
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SUM45N25-58-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
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SUM45N25-58-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
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