SUM70030M-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 4+ | 8.09 EUR |
| 10+ | 6.78 EUR |
| 100+ | 5.48 EUR |
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Technische Details SUM70030M-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUM70030M-GE3 nach Preis ab 4.13 EUR bis 8.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SUM70030M-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUM70030M-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM70030M-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 375 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM70030M-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUM70030M-GE3 | Hersteller : Vishay |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUM70030M-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUM70030M-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 214nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Mounting: SMD Case: TO263-7 Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUM70030M-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V |
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| SUM70030M-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 214nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Mounting: SMD Case: TO263-7 |
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