SUM70042E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2287 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 6.81 EUR |
| 10+ | 5.73 EUR |
| 100+ | 4.64 EUR |
| 500+ | 4.12 EUR |
| 1000+ | 3.53 EUR |
| 2000+ | 3.32 EUR |
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Technische Details SUM70042E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm.
Weitere Produktangebote SUM70042E-GE3 nach Preis ab 3.59 EUR bis 6.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SUM70042E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
auf Bestellung 4677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM70042E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 278W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
auf Bestellung 4677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUM70042E-GE3 | Hersteller : Vishay |
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) |
auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 126-140 Tag (e) |
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SUM70042E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUM70042E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUM70042E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 278W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUM70042E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 278W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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