SUM90140E-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SUM90140E-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263, Case: D2PAK; TO263, Mounting: SMD, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 64nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 75A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SUM90140E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SUM90140E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263 Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUM90140E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUM90140E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK |
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SUM90140E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263 Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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