SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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35+ | 2.04 EUR |
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Technische Details SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm.
Weitere Produktangebote SUM90N10-8M2P-E3 nach Preis ab 2.04 EUR bis 10.24 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SUM90N10-8M2P-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 647 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUM90N10-8M2P-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SUM90N10-8M2P-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 100V 90A 300W |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUM90N10-8M2P-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5438 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SUM90N10-8M2P-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm |
auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM90N10-8M2P-E3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |