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SUP10250E-GE3

SUP10250E-GE3 VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B4A212855AF80A16&compId=sup10250e.pdf?ci_sign=cbb59085fee9e75bd873e754663afae2ba083e68 Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.3A
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 32.5mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 422 Stücke:
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Technische Details SUP10250E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B4A212855AF80A16&compId=sup10250e.pdf?ci_sign=cbb59085fee9e75bd873e754663afae2ba083e68 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.3A
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 32.5mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
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SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Hersteller : Vishay sup10250e.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+4 EUR
43+3.25 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Hersteller : Vishay sup10250e.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sup10250e.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-220
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SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Hersteller : VISHAY 3983264.pdf Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sup10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
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SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Hersteller : VISHAY 3983264.pdf Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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