SUP10250E-GE3

SUP10250E-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
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Technische Details SUP10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB, Part Status: Active, Packaging: Tube, Manufacturer: Vishay Siliconix, Base Part Number: SUP10250, Package / Case: TO-220-3, Supplier Device Package: TO-220AB, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel.

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SUP10250E-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
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SUP10250E-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-220
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auf Bestellung 922 Stücke
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SUP10250E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SUP10250
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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