SUP50010E-GE3

SUP50010E-GE3 Vishay Semiconductors


sup50010e.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-220AB
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Technische Details SUP50010E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V.

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SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sup50010e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
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SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 Hersteller : Vishay sup50010e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP50010E-GE3
Produktcode: 191652
sup50010e.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 Hersteller : Vishay sup50010e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP50010E-GE3 Hersteller : VISHAY sup50010e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 212nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 150A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SUP50010E-GE3 Hersteller : VISHAY sup50010e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 212nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 150A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
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