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SUP50020EL-GE3

SUP50020EL-GE3 Vishay / Siliconix


sup50020el.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-220
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Technische Details SUP50020EL-GE3 Vishay / Siliconix

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A, Mounting: THT, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 375W, Gate charge: 126nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 120A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 2.8mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 Hersteller : Vishay sup50020el.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 Hersteller : Vishay sup50020el.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP50020EL-GE3 Hersteller : VISHAY sup50020el.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sup50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
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SUP50020EL-GE3 Hersteller : VISHAY sup50020el.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 126nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
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