SUP53P06-20-E3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details SUP53P06-20-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Preis SUP53P06-20-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SUP53P06-20-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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