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SUP53P06-20-E3 Transistor

Produktcode: 216282
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Vishay sup53p0620.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 152 Stücke:
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33+5.28 EUR
37+4.65 EUR
50+4.22 EUR
100+3.86 EUR
150+3.64 EUR
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SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Vishay sup53p0620.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1967 Stücke:
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46+3.74 EUR
50+3.62 EUR
100+2.99 EUR
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SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Vishay sup53p0620.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Vishay sup53p0620.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Vishay sup53p0620.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Vishay sup53p0620.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Vishay Semiconductors sup53p06-20.pdf MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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1+7.91 EUR
10+4.55 EUR
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SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 Vishay Siliconix sup53p06-20.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 4590 Stücke:
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3+9.29 EUR
10+6.16 EUR
50+4.81 EUR
100+4.38 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SUP53P06-20-E3 SUP53P06-20-E3 VISHAY sup53p06-20.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -46.8A
Power dissipation: 66.7W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUP53P06-20-E3 VISHAY sup53p06-20.pdf Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P-CH, 60V, 53A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 493 Stücke:
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28+9.12 EUR
30+7.96 EUR
31+6.91 EUR
50+6.34 EUR
100+5.74 EUR
250+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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SUP53P06-20-E3 sup53p0620.pdf
SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.28 EUR
37+4.65 EUR
50+4.22 EUR
100+3.86 EUR
150+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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SUP53P06-20-E3 sup53p0620.pdf
SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+5.85 EUR
46+3.74 EUR
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100+2.99 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+5.9 EUR
46+3.68 EUR
50+3.51 EUR
100+2.86 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SUP53P06-20-E3 sup53p0620.pdf
SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.02 EUR
48+3.5 EUR
50+3.33 EUR
100+2.75 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SUP53P06-20-E3 sup53p0620.pdf
SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.02 EUR
48+3.58 EUR
50+3.46 EUR
100+2.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SUP53P06-20-E3 sup53p0620.pdf
SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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50+3.57 EUR
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SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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SUP53P06-20-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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SUP53P06-20-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -46.8A
Power dissipation: 66.7W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P-CH, 60V, 53A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 493 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
28+9.12 EUR
30+7.96 EUR
31+6.91 EUR
50+6.34 EUR
100+5.74 EUR
250+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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