SUP53P06-20-E3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SUP53P06-20-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUP53P06-20-E3 nach Preis ab 1.93 EUR bis 6.53 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SUP53P06-20-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
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SUP53P06-20-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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SUP53P06-20-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUP53P06-20-E3 | Hersteller : VISHAY |
SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors |
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