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Technische Details SUP60020E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUP60020E-GE3 nach Preis ab 5.94 EUR bis 8.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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SUP60020E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V |
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SUP60020E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SUP60020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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SUP60020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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SUP60020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| SUP60020E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 227nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SUP60020E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 227nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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