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Technische Details SUP90142E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31200 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote SUP90142E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 90 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: ThunderFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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| SUP90142E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31200 pF @ 100 V |
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| SUP90142E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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