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Si3590DV-T1-GE3

Si3590DV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3590dv.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
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Technische Details Si3590DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Si3590DV-T1-GE3 Si3590DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3590dv.pdf MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
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Si3590DV-T1-GE3 Si3590DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3590dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
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SI3590DV-T1-GE3 SI3590DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3590dv.pdf Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 17235 Stücke:
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SI3590DV-T1-GE3 SI3590DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3590dv.pdf Description: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: TSOP
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Si3590DV-T1-GE3 Si3590DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3590dv.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2/-1.3A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2/-1.3A
On-state resistance: 77/170mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5/6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI3590DV-T1-GE3 SI3590DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3590dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
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SI3590DV-T1-GE3 SI3590DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3590dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
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Si3590DV-T1-GE3 Si3590DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3590dv.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2/-1.3A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2/-1.3A
On-state resistance: 77/170mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5/6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
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