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SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics SCT50N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+49.59 EUR
3+ 47.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics SCT50N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120-1850083.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C)
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 301-315 Tag (e)
1+70.69 EUR
25+ 58.63 EUR
50+ 58.6 EUR
100+ 54.96 EUR
600+ 47.37 EUR
SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics 1209210774865124dm0020.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCT50N120 STMicroelectronics 1209210774865124dm0020.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCT50N120 SCT50N120 STMicroelectronics sct50n120.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
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SCT50N120 SCT50N120.pdf
SCT50N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
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SCT50N120
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; SiCFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 318W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
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SCT50N120
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C)
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SCT50N120
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCT50N120
Hersteller: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
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