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TEFT4300

TEFT4300 Vishay

teft4300.pdf Hersteller: Vishay
Phototransistor IR Chip Silicon 925nm 2-Pin T-1
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Technische Details TEFT4300 Vishay

Description: VISHAY - TEFT4300 - Fototransistor, 925 nm, 30 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 (3mm), tariffCode: 85414900, MSL: -, productTraceability: No, Stromverbrauch: 100mW, rohsCompliant: YES, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Abstrahlwinkel: 30°, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform - Transistor: T-1 (3mm), Wellenlänge, typ.: 925nm, usEccn: EAR99.

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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : Vishay teft4300.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 925nm 2-Pin T-1
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : VISHAY TEFT4300-DTE.pdf Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 3mm; λp max: 925nm; 70V; 60°; λd: 875÷1000nm
LED diameter: 3mm
Wavelength: 875...1000nm
LED lens: black with IR filter
Viewing angle: 60°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 925nm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 70V
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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400+ 0.18 EUR
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : VISHAY TEFT4300-DTE.pdf Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 3mm; λp max: 925nm; 70V; 60°; λd: 875÷1000nm
LED diameter: 3mm
Wavelength: 875...1000nm
LED lens: black with IR filter
Viewing angle: 60°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 925nm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 70V
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : Vishay teft4300.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 925nm 2-Pin T-1
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : Vishay teft4300.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 925nm 2-Pin T-1
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : Vishay teft4300.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 925nm 2-Pin T-1
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : Vishay Semiconductors teft4300.pdf Phototransistors T-1 875 to 1000nm +/-30 deg
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : Vishay Semiconductor Opto Division teft4300.pdf Description: PHOTOTRANSISTOR 875 TO 1000 NM
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, 3mm Dia (T-1)
Wavelength: 925nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 60°
Current - Dark (Id) (Max): 200 nA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 100 mW
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : Vishay teft4300.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 925nm 2-Pin T-1
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : VISHAY 2049892.pdf Description: VISHAY - TEFT4300 - Fototransistor, 925 nm, 30 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 (3mm)
tariffCode: 85414900
MSL: -
productTraceability: No
Stromverbrauch: 100mW
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Abstrahlwinkel: 30°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: T-1 (3mm)
Wellenlänge, typ.: 925nm
usEccn: EAR99
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TEFT4300 Hersteller : Vishay teft4300.pdf Phototransistor; THT T-1; ?=3mm; 925nm; Vce 70V; Ic 50mA; 100mW; ±30°; -40°C ~ 100°C; TEFT4300 OIO TEFT4300
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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TEFT4300 Hersteller : Vishay (passive) teft4300.pdf Фототранзистор; Ic, мА = 50; Id, нА = 200; Uce, В = 70; ? peak, нм = 925; ?,° = 60; Тексп, °С = -40...+100; 3mm
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16+ 0.4 EUR
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TEFT4300
Produktcode: 170810 		teft4300.pdf Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
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TEFT4300 TEFT4300 Hersteller : Vishay teft4300.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 925nm 2-Pin T-1
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