TQM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 3.12 EUR |
| 11+ | 2.55 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
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Technische Details TQM150NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PDFN56U, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote TQM150NB04DCR RLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TQM150NB04DCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM150NB04DCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM150NB04DCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 39A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TQM150NB04DCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 9A Power dissipation: 16W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TQM150NB04DCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) |
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| TQM150NB04DCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 9A Power dissipation: 16W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced |
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