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TSM150NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
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Technische Details TSM150NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 10A, Power dissipation: 19W, Case: PDFN56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM150NB04LCR RLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TSM150NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TSM150NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin PDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TSM150NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10A Power dissipation: 19W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TSM150NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 40V 41A 15mOhm N-Chan Pwr MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TSM150NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10A Power dissipation: 19W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |