Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TSM220NB06CR RLG
TSM220NB06CR RLG

TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSMxxxNB0x_Newsletter.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.74 EUR
5000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Weitere Produktangebote TSM220NB06CR RLG nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
211+0.75 EUR
213+ 0.72 EUR
259+ 0.57 EUR
261+ 0.54 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 211
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+0.94 EUR
185+ 0.82 EUR
187+ 0.79 EUR
189+ 0.75 EUR
238+ 0.57 EUR
250+ 0.54 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 169
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSMxxxNB0x_Newsletter.pdf MOSFET 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+1.93 EUR
31+ 1.71 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.41 EUR
1000+ 1.15 EUR
2500+ 1.07 EUR
5000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSMxxxNB0x_Newsletter.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V
auf Bestellung 9674 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.95 EUR
16+ 1.68 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.97 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256627.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256627.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TSM220NB06CR RLG TSM220NB06CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm220nb06cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TSM220NB06CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSMxxxNB0x_Newsletter.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TSM220NB06CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSMxxxNB0x_Newsletter.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 23W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar