TSM2302CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details TSM2302CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Weitere Produktangebote TSM2302CX RFG nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.09 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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TSM2302CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V |
auf Bestellung 4210 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 8047 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 8047 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : TAI-SEM |
N-MOSFET 2.8A 20V 1.25W 0.065Ω TSM2302CX TTSM2302cx Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V |
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TSM2302CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET |
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