TSM2303CX RFG
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Technische Details TSM2303CX RFG
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis TSM2303CX RFG ab 0.09 EUR bis 0.27 EUR
 Hersteller: Taiwan Semiconductor Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R 
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TSM2303CX RFG Hersteller: Taiwan Semiconductor Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Taiwan Semiconductor MOSFET -30V, -1.3A, Single P-Channel Power MOSFET
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 Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 10 V
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