TSM2328CX RFG

TSM2328CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation


Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
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Technische Details TSM2328CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TSM2328CX RFG TSM2328CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor MOSFET 100V, 1.5A, Single N-Channel Power MOSFET
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TSM2328CX RFG TSM2328CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
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TSM2328CX RFG TSM2328CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm2328_b14.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM2328CX RFG TSM2328CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm2328_b14.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM2328CX RFG TSM2328CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm2328_b14.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM2328CX RFG TSM2328CX RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.38W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TSM2328CX RFG TSM2328CX RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.5A; 1.38W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.38W
Case: SOT23
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On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
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