TSM3N80CI C0G Taiwan Semiconductor
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Technische Details TSM3N80CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 1.83A, Power dissipation: 32W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 4.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 19nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM3N80CI C0G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TSM3N80CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.83A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.2Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM3N80CI C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A ITO220AB |
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TSM3N80CI C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 800V 3A Single N-Cha nnel Power MOSFET |
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TSM3N80CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.83A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.2Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced |
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