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TSM3N80CZ C0G

TSM3N80CZ C0G Taiwan Semiconductor


TSM3N80_F1706-1918916.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFET 800V 3A Single N-Cha nnel Power MOSFET
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Technische Details TSM3N80CZ C0G Taiwan Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 94W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 1.83A, Power dissipation: 94W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 4.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 19nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TSM3N80CZ C0G TSM3N80CZ C0G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N80_F1706.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
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TSM3N80CZ C0G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3N80_F1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 94W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.83A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TSM3N80CZ C0G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3N80_F1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 94W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.83A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
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