Technische Details TSM60N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; DPAK, Case: DPAK, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.4Ω, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 38W, Gate charge: 7.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 3.3A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM60N1R4CP ROG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| TSM60N1R4CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 38W Gate charge: 7.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM60N1R4CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252 |
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TSM60N1R4CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252 |
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| TSM60N1R4CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.3A; 38W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 38W Gate charge: 7.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V |
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