TSM60N380CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details TSM60N380CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 125W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.38Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 20.5nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TSM60N380CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252 |
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TSM60N380CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252 |
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| TSM60N380CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 20.5nC Kind of channel: enhanced |
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