TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor
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| 1000+ | 7 EUR |
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Technische Details TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.8A, On-state resistance: 0.26Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 32.1W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Case: TO220FP, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM60NB260CI C0G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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TSM60NB260CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM60NB260CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 32.1W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP |
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