TSM70N600CI C0G Taiwan Semiconductor
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Technische Details TSM70N600CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 4.8A, Power dissipation: 32W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: THT, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM70N600CI C0G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TSM70N600CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM70N600CI C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB |
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TSM70N600CI C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET |
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TSM70N600CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhanced |
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