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TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
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Technische Details TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 1.8A, Power dissipation: 28W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 7.4nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM70NB1R4CP ROG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| TSM70NB1R4CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 1.8A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM70NB1R4CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 |
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TSM70NB1R4CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TSM70NB1R4CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 1.8A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhanced |
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