TSM7NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation
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Technische Details TSM7NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 44.6W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 4.4A, Power dissipation: 44.6W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.35Ω, Mounting: THT, Gate charge: 24nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM7NC65CF C0G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TSM7NC65CF C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 44.6W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 44.6W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM7NC65CF C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 650V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TSM7NC65CF C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 44.6W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 44.6W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced |
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