UG58G A0G Taiwan Semiconductor
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Technische Details UG58G A0G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote UG58G A0G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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UG58G A0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 600V 5A 2-Pin DO-201AD T/R |
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UG58G A0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
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UG58G A0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 20ns, 5A, 600V, Ultra Fast Recovery Rectifier |
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