UGB18DCT-E3/81 Vishay General Semiconductor
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Technische Details UGB18DCT-E3/81 Vishay General Semiconductor
Description: VISHAY - UGB18DCT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 18 A, Einfach, 1.2 V, 20 ns, 175 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 175A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 20ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: UGB18, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UGB18DCT-E3/81
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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UGB18DCT-E3/81 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - UGB18DCT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 18 A, Einfach, 1.2 V, 20 ns, 175 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Durchlassstoßstrom: 175A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: UGB18 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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UGB18DCT-E3/81 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 200V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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UGB18DCT-E3/81 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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