UPTB8/TR7 MICROSEMI
Hersteller: MICROSEMIDO216AA/150 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE UPTB8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details UPTB8/TR7 MICROSEMI
Description: TVS DIODE 8VWM 13.7VC POWERMITE1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V, Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 9V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V, Power - Peak Pulse: 1000W (1kW), Power Line Protection: No.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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-Top.jpg "UPTB8/TR7") |
UPTB8/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 8VWM 13.7VC POWERMITE1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.9A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 9V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V Power - Peak Pulse: 1000W (1kW) Power Line Protection: No |
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UPTB8/TR7 | Hersteller : Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor |
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