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US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H Vishay

us1_test_dcicons.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details US1JHE3_A/H Vishay

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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US1JHE3_A/H US1JHE3_A/H Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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US1JHE3_A/H US1JHE3_A/H Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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US1JHE3_A/H US1JHE3_A/H Hersteller : Vishay General Semiconductor us1_test_dcicons.pdf Rectifiers 600 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
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US1JHE3_A/H US1JHE3_A/H Hersteller : Vishay us1_test_dcicons.pdf Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101
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US1JHE3_A/H US1JHE3_A/H Hersteller : Vishay us1_test_dcicons.pdf Rectifier Diode Switching 600V 1A 75ns Automotive 2-Pin SMA T/R
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