USB50815C-Ae3/TR7 Microchip Technology
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Technische Details USB50815C-Ae3/TR7 Microchip Technology
Category: Transil diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 16.7V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS array, Peak pulse power dissipation: 500W, Case: SO8, Max. off-state voltage: 15V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 5A, Breakdown voltage: 16.7V, Leakage current: 1µA, Anzahl je Verpackung: 500 Stücke.
Weitere Produktangebote USB50815C-Ae3/TR7
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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USB50815C-Ae3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 16.7V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 500W Case: SO8 Max. off-state voltage: 15V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 16.7V Leakage current: 1µA Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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USB50815C-Ae3/TR7 | Hersteller : Microsemi Corporation | Description: TVS DIODE 15V 32V 8SOIC |
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USB50815C-Ae3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 16.7V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 500W Case: SO8 Max. off-state voltage: 15V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 16.7V Leakage current: 1µA |
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