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V8P8-M3/86A

V8P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

v8p8.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
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Technische Details V8P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V.

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V8P8-M3/86A V8P8-M3/86A Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p8.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 80 V
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V8P8-M3/86A V8P8-M3/86A Hersteller : Vishay General Semiconductor v8p8.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 80V,TRENCH SKY RECT.
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