VBT1045C-E3/8W

VBT1045C-E3/8W Vishay General Semiconductor


vbt1045c.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 10A 45V DUAL TrenchMOS
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Technische Details VBT1045C-E3/8W Vishay General Semiconductor

Description: DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V.

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VBT1045C-E3/8W VBT1045C-E3/8W Hersteller : Vishay vbt1045c.pdf Diode Schottky 45V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
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VBT1045C-E3/8W VBT1045C-E3/8W Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vbt1045c.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
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