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VS-10ETF04-M3

VS-10ETF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-10etf0m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
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Technische Details VS-10ETF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V.

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VS-10ETF04-M3 VS-10ETF04-M3 Hersteller : Vishay Semiconductors vs-10etf0m3.pdf Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
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VS-10ETF04-M3 Hersteller : VISHAY vs-10etf0m3.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10A; tube; Ifsm: 130A; TO220AC; 200ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 130A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
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