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VS-10ETS12FP-M3

VS-10ETS12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-10ets08_12fp-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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Technische Details VS-10ETS12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.

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VS-10ETS12FP-M3 Hersteller : Vishay vs-10ets08_12fp-m3.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
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VS-10ETS12FP-M3 Hersteller : Vishay vs-10ets08_12fp-m3.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
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