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VS-15ETX06S-M3

VS-15ETX06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-15etx06s-m3-1-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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Technische Details VS-15ETX06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.

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VS-15ETX06S-M3 VS-15ETX06S-M3 Hersteller : Vishay Semiconductors vs-15etx06s-m3-1-m3.pdf Rectifiers 600V 15A IF (TO-263AB) 170A IFSM
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