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VS-1EFH01-M3/I

VS-1EFH01-M3/I Vishay Semiconductors


vs-1efh01-m3.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rect 1A 100V
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Technische Details VS-1EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
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VS-1EFH01-M3/I Hersteller : VISHAY vs-1efh01-m3.pdf VS-1EFH01-M3/I SMD universal diodes
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VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
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