VS-1EFH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
auf Bestellung 7659 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 30+ | 0.88 EUR |
| 38+ | 0.69 EUR |
| 100+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 2000+ | 0.24 EUR |
| 5000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details VS-1EFH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-1EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB (SMF), Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 930mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FRED Pt, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote VS-1EFH02-M3/I nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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VS-1EFH02-M3/I | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hypfst Rect 1A 200V |
auf Bestellung 11547 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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VS-1EFH02-M3/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-1EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 38365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-1EFH02-M3/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-1EFH02-M3/I - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB (SMF) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 38365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-1EFH02-M3/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
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