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| 4+ | 13.91 EUR |
| 10+ | 11.7 EUR |
| 100+ | 10.53 EUR |
| 200+ | 10.5 EUR |
| 1000+ | 7.98 EUR |
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Technische Details VS-1N1200A Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 100 V.
Weitere Produktangebote VS-1N1200A nach Preis ab 10.3 EUR bis 15.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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VS-1N1200A | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AAPackaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 100 V |
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