VS-20ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 4869 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 7.72 EUR |
| 50+ | 6.13 EUR |
| 100+ | 5.25 EUR |
| 500+ | 4.67 EUR |
| 1000+ | 4 EUR |
| 2000+ | 3.77 EUR |
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Technische Details VS-20ETF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-20ETF12-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.31 V, 400 ns, 320 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 320A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.31V, Sperrverzögerungszeit: 400ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote VS-20ETF12-M3 nach Preis ab 3.87 EUR bis 7.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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VS-20ETF12-M3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 20A 1200V Single Die |
auf Bestellung 8152 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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VS-20ETF12-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-20ETF12-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.31 V, 400 ns, 320 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.31V Sperrverzögerungszeit: 400ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-20ETF12-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-20ETF12-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| VS-20ETF12-M3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 320A; TO220AC; 95ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Reverse recovery time: 95ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: TO220AC Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Max. forward impulse current: 320A Max. forward voltage: 1.31V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| VS-20ETF12-M3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 320A; TO220AC; 95ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Reverse recovery time: 95ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: TO220AC Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Max. forward impulse current: 320A Max. forward voltage: 1.31V |
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