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Technische Details VS-25ETS08S-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V.
Weitere Produktangebote VS-25ETS08S-M3 nach Preis ab 1.16 EUR bis 5.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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VS-25ETS08S-M3 | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 800V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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VS-25ETS08S-M3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
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VS-25ETS08S-M3 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-25ETS08S-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V |
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