VS-3EMU06-M3/5AT

VS-3EMU06-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-3emu06-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
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Technische Details VS-3EMU06-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 41 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V.

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VS-3EMU06-M3/5AT VS-3EMU06-M3/5AT Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3emu06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
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VS-3EMU06-M3/5AT VS-3EMU06-M3/5AT Hersteller : Vishay Semiconductors vs-3emu06-m3.pdf Rectifiers 3 Amp 600 Volts Ultrafast - Low VF
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